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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市腰围88是多少 腰围88是多少码场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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